Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A
Maximum Drain Source Voltage
1700 V
Serija
SCT2H12NZ
Pakuotės tipas
TO-3PFM
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.6V
Maximum Power Dissipation
35 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +22 V
Transistor Material
Si
Ilgis
16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 18 V
Plotis
5mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
21mm
Forward Diode Voltage
4.3V
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 9,345
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 11,307
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
2
€ 9,345
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 11,307
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
2
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
2 - 8 | € 9,345 | € 18,69 |
10+ | € 7,77 | € 15,54 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A
Maximum Drain Source Voltage
1700 V
Serija
SCT2H12NZ
Pakuotės tipas
TO-3PFM
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.6V
Maximum Power Dissipation
35 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +22 V
Transistor Material
Si
Ilgis
16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 18 V
Plotis
5mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
21mm
Forward Diode Voltage
4.3V
Produkto aprašymas