Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serija
RU1C002ZP
Pakuotės tipas
SOT-323
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
9.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
150 mW
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Plotis
1.35mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
2.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.4 nC @ 4.5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
€ 5,89
€ 0,059 Each (In a Pack of 100) (be PVM)
€ 7,13
€ 0,071 Each (In a Pack of 100) (su PVM)
Standartas
100

€ 5,89
€ 0,059 Each (In a Pack of 100) (be PVM)
€ 7,13
€ 0,071 Each (In a Pack of 100) (su PVM)
Standartas
100

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serija
RU1C002ZP
Pakuotės tipas
SOT-323
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
9.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
150 mW
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Plotis
1.35mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
2.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.4 nC @ 4.5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Produkto aprašymas