Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serija
RU1C001ZP
Pakuotės tipas
SC-85
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
40 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
200 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
10 V
Plotis
1.35mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.2 nC @ 4.5 V
Aukštis
0.95mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
Thailand
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,069
Each (In a Pack of 200) (be PVM)
€ 0,084
Each (In a Pack of 200) (su PVM)
200
€ 0,069
Each (In a Pack of 200) (be PVM)
€ 0,084
Each (In a Pack of 200) (su PVM)
200
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
200 - 200 | € 0,069 | € 13,86 |
400 - 400 | € 0,062 | € 12,39 |
600 - 800 | € 0,057 | € 11,34 |
1000 - 1800 | € 0,051 | € 10,29 |
2000+ | € 0,047 | € 9,45 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ROHMChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serija
RU1C001ZP
Pakuotės tipas
SC-85
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
40 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
200 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
10 V
Plotis
1.35mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.2 nC @ 4.5 V
Aukštis
0.95mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
Thailand