Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serija
RQ6C050UN
Pakuotės tipas
TSMT-6
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
30 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±10 V
Plotis
1.8mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Aukštis
0.95mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
Thailand
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,467
Each (In a Pack of 20) (be PVM)
€ 0,565
Each (In a Pack of 20) (su PVM)
20
€ 0,467
Each (In a Pack of 20) (be PVM)
€ 0,565
Each (In a Pack of 20) (su PVM)
20
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serija
RQ6C050UN
Pakuotės tipas
TSMT-6
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
30 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±10 V
Plotis
1.8mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Aukštis
0.95mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
Thailand