Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
PanasonicChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
Smini3-G1-B
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2mm
Plotis
1.25mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.9mm
Serija
MTM
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, Panasonic
MOSFET Transistors, Panasonic
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,576
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,697
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 0,576
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,697
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,576 | € 5,76 |
100 - 190 | € 0,326 | € 3,26 |
200+ | € 0,284 | € 2,84 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
PanasonicChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
Smini3-G1-B
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2mm
Plotis
1.25mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.9mm
Serija
MTM
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas