Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
PanasonicChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Serija
MTM
Pakuotės tipas
Smini3-G1-B
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
30 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2mm
Plotis
1.25mm
Aukštis
0.8mm
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, Panasonic
MOSFET Transistors, Panasonic
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,174
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,211
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
50
€ 0,174
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,211
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,174 | € 8,72 |
100 - 200 | € 0,155 | € 7,77 |
250 - 700 | € 0,138 | € 6,88 |
750 - 950 | € 0,133 | € 6,67 |
1000+ | € 0,128 | € 6,40 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
PanasonicChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Serija
MTM
Pakuotės tipas
Smini3-G1-B
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
30 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2mm
Plotis
1.25mm
Aukštis
0.8mm
Produkto aprašymas