Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
PanasonicChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SMini3 F2 B
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
150 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
2mm
Plotis
1.25mm
Serija
FK
Aukštis
0.8mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, Panasonic
MOSFET Transistors, Panasonic
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,077
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,093
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,077
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,093
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
PanasonicChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SMini3 F2 B
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
150 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
2mm
Plotis
1.25mm
Serija
FK
Aukštis
0.8mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas