Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
PanasonicChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
2 → 6.5mA
Maximum Drain Gate Voltage
-55V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SSMini3 F3 B
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
1.6 x 0.85 x 0.7mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
1.6mm
Aukštis
0.7mm
Plotis
0.85mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Panasonic
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,486
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,588
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
20
€ 0,486
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,588
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
20
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
20 - 80 | € 0,486 | € 9,72 |
100+ | € 0,306 | € 6,11 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
PanasonicChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
2 → 6.5mA
Maximum Drain Gate Voltage
-55V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SSMini3 F3 B
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
1.6 x 0.85 x 0.7mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
1.6mm
Aukštis
0.7mm
Plotis
0.85mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Panasonic
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.