Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
25 (Continuous) A, 40 (Peak) A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
15
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V dc
Maximum Collector Cut-off Current
1mA
Aukštis
20.35mm
Plotis
4.9mm
Maximum Power Dissipation
125 W
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
15.2 x 4.9 x 20.35mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
15.2mm
Base Current
5A
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,52
Each (In a Tube of 30) (be PVM)
€ 3,049
Each (In a Tube of 30) (su PVM)
30
€ 2,52
Each (In a Tube of 30) (be PVM)
€ 3,049
Each (In a Tube of 30) (su PVM)
30
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
30 - 90 | € 2,52 | € 75,60 |
120 - 240 | € 2,048 | € 61,42 |
270 - 480 | € 1,995 | € 59,85 |
510+ | € 1,785 | € 53,55 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
25 (Continuous) A, 40 (Peak) A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
15
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V dc
Maximum Collector Cut-off Current
1mA
Aukštis
20.35mm
Plotis
4.9mm
Maximum Power Dissipation
125 W
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
15.2 x 4.9 x 20.35mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
15.2mm
Base Current
5A
Kilmės šalis
China