Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Pakuotės tipas
SOT-93
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
125 W
Minimum DC Current Gain
15
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
15.2 x 4.9 x 20.35mm
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 3,15
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 3,812
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
2
€ 3,15
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 3,812
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
2
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
2 - 8 | € 3,15 | € 6,30 |
10 - 98 | € 2,52 | € 5,04 |
100 - 498 | € 2,048 | € 4,10 |
500 - 998 | € 1,732 | € 3,46 |
1000+ | € 1,575 | € 3,15 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Pakuotės tipas
SOT-93
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
125 W
Minimum DC Current Gain
15
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
15.2 x 4.9 x 20.35mm
Kilmės šalis
China