Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
5 A dc
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Collector Base Voltage
80 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V dc
Aukštis
15.75mm
Plotis
4.83mm
Maximum Power Dissipation
65 W
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.53mm
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,887
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 1,073
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
25
€ 0,887
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 1,073
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
25
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
25 - 75 | € 0,887 | € 22,18 |
100 - 475 | € 0,644 | € 16,09 |
500 - 975 | € 0,538 | € 13,44 |
1000+ | € 0,461 | € 11,52 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
5 A dc
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Collector Base Voltage
80 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V dc
Aukštis
15.75mm
Plotis
4.83mm
Maximum Power Dissipation
65 W
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.53mm
Kilmės šalis
China