Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
0.05 to 0.13mA
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Maximum Drain Gate Voltage
-40V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-883
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
0.7pF
Source Gate On-Capacitance
0.3pF
Matmenys
1.07 x 0.67 x 0.41mm
Ilgis
1.07mm
Aukštis
0.41mm
Plotis
0.67mm
Maximum Power Dissipation
100 mW
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Produkto aprašymas
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,033
Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 0,04
Each (In a Pack of 50) (su PVM)
50
€ 0,033
Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 0,04
Each (In a Pack of 50) (su PVM)
50
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
0.05 to 0.13mA
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Maximum Drain Gate Voltage
-40V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-883
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
0.7pF
Source Gate On-Capacitance
0.3pF
Matmenys
1.07 x 0.67 x 0.41mm
Ilgis
1.07mm
Aukštis
0.41mm
Plotis
0.67mm
Maximum Power Dissipation
100 mW
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Produkto aprašymas
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.