Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
1.2 to 3mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-883
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
4pF
Source Gate On-Capacitance
4pF
Matmenys
1.08 x 0.68 x 0.41mm
Aukštis
0.41mm
Plotis
0.68mm
Maximum Power Dissipation
100 mW
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
1.08mm
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,099
Each (On a Reel of 8000) (be PVM)
€ 0,12
Each (On a Reel of 8000) (su PVM)
8000
€ 0,099
Each (On a Reel of 8000) (be PVM)
€ 0,12
Each (On a Reel of 8000) (su PVM)
8000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
1.2 to 3mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-883
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
4pF
Source Gate On-Capacitance
4pF
Matmenys
1.08 x 0.68 x 0.41mm
Aukštis
0.41mm
Plotis
0.68mm
Maximum Power Dissipation
100 mW
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
1.08mm
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.