Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
11 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Maximum Power Dissipation
90 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
9.2mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
280 nC @ 10 V
Aukštis
4.5mm
Kilmės šalis
Korea, Republic Of
Produkto aprašymas
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 4,41
Each (On a Reel of 800) (be PVM)
€ 5,336
Each (On a Reel of 800) (su PVM)
800
€ 4,41
Each (On a Reel of 800) (be PVM)
€ 5,336
Each (On a Reel of 800) (su PVM)
800
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
800 - 3200 | € 4,41 | € 3 528,00 |
4000+ | € 4,305 | € 3 444,00 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
11 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Maximum Power Dissipation
90 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
9.2mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
280 nC @ 10 V
Aukštis
4.5mm
Kilmės šalis
Korea, Republic Of
Produkto aprašymas