Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN/PNP
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
65 V
Pakuotės tipas
SOT-363
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
380 mW
Transistor Configuration
Dual
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Kaiščių skaičius
6
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
2.2 x 1.35 x 0.9mm
€ 0,81
€ 0,032 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,98
€ 0,039 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
25

€ 0,81
€ 0,032 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,98
€ 0,039 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
25

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN/PNP
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
65 V
Pakuotės tipas
SOT-363
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
380 mW
Transistor Configuration
Dual
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Kaiščių skaičius
6
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
2.2 x 1.35 x 0.9mm