Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiMaximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
186 W
Pakuotės tipas
Q0BOOST
Configuration
Dual
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Channel Type
N
Kaiščių skaičius
22
Transistor Configuration
Dual
Matmenys
66.2 x 32.8 x 11.9mm
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 87,675
Each (In a Tray of 24) (be PVM)
€ 106,087
Each (In a Tray of 24) (su PVM)
24
€ 87,675
Each (In a Tray of 24) (be PVM)
€ 106,087
Each (In a Tray of 24) (su PVM)
24
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiMaximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
186 W
Pakuotės tipas
Q0BOOST
Configuration
Dual
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Channel Type
N
Kaiščių skaičius
22
Transistor Configuration
Dual
Matmenys
66.2 x 32.8 x 11.9mm
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C