Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Channel Type
N
Transistor Configuration
Dual
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Configuration
Dual
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
22
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Power Dissipation
186 W
Pakuotės tipas
Q0BOOST
Batteries
3 x AAA BatteryMatmenys
66.2 x 32.8 x 11.9mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 80,75
Už kiekviena vnt. (tiekiama ant padeklo) (be PVM)
€ 97,708
Už kiekviena vnt. (tiekiama ant padeklo) (su PVM)
24
€ 80,75
Už kiekviena vnt. (tiekiama ant padeklo) (be PVM)
€ 97,708
Už kiekviena vnt. (tiekiama ant padeklo) (su PVM)
24
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Channel Type
N
Transistor Configuration
Dual
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Configuration
Dual
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
22
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Power Dissipation
186 W
Pakuotės tipas
Q0BOOST
Batteries
3 x AAA BatteryMatmenys
66.2 x 32.8 x 11.9mm