Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
109 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
WDFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
7.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
114 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
27 nC @ 10 V
Plotis
3.15mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
3.15mm
Aukštis
0.75mm
Serija
NVTFS5C658NL
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,628
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 1,97
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 1,628
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 1,97
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,628 | € 8,14 |
25 - 95 | € 1,575 | € 7,88 |
100 - 245 | € 1,522 | € 7,61 |
250 - 495 | € 1,522 | € 7,61 |
500+ | € 1,47 | € 7,35 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
109 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
WDFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
7.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
114 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
27 nC @ 10 V
Plotis
3.15mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
3.15mm
Aukštis
0.75mm
Serija
NVTFS5C658NL
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Produkto aprašymas