Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
57.8 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
WDFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
15.9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
77.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
3.15mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
3.3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 10 V
Aukštis
0.75mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Automotive Standard
AEC-Q101
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,757
Each (On a Reel of 1500) (be PVM)
€ 0,916
Each (On a Reel of 1500) (su PVM)
1500
€ 0,757
Each (On a Reel of 1500) (be PVM)
€ 0,916
Each (On a Reel of 1500) (su PVM)
1500
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
57.8 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
WDFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
15.9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
77.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
3.15mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
3.3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 10 V
Aukštis
0.75mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Automotive Standard
AEC-Q101