Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
433 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
DFNW8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
630 μΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
205 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
8mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
8.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
99 nC @ 4.5 V
Aukštis
1.15mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Kilmės šalis
Philippines
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 6,365
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 7,702
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 6,365
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 7,702
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
433 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
DFNW8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
630 μΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
205 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
8mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
8.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
99 nC @ 4.5 V
Aukštis
1.15mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Kilmės šalis
Philippines