Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
LFPAK8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
2.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
4.9mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Aukštis
1.15mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,892
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 1,079
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,892
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 1,079
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
LFPAK8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
2.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
4.9mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Aukštis
1.15mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101