Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Pakuotės tipas
DFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
31.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
3.2 W
Transistor Configuration
Dual
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Ilgis
6.1mm
Plotis
5.1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Aukštis
1.05mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,659
Each (On a Reel of 1500) (be PVM)
€ 0,797
Each (On a Reel of 1500) (su PVM)
1500
€ 0,659
Each (On a Reel of 1500) (be PVM)
€ 0,797
Each (On a Reel of 1500) (su PVM)
1500
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Pakuotės tipas
DFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
31.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
3.2 W
Transistor Configuration
Dual
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Ilgis
6.1mm
Plotis
5.1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Aukštis
1.05mm