Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
38 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
24.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
27 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9.6 nC @ 10 V
Plotis
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Aukštis
2.38mm
Serija
NVD5C684NL
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,869
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 1,052
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
€ 0,869
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 1,052
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
38 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
24.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
27 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9.6 nC @ 10 V
Plotis
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Aukštis
2.38mm
Serija
NVD5C684NL
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas