Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
163 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Serija
NVD5C434N
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
117 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
6.22mm
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
80.6 nC @ 10 V
Automotive Standard
AEC-Q101
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
2.38mm
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 40V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 6,84
€ 3,42 Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 8,28
€ 4,138 Each (In a Pack of 2) (su PVM)
Standartas
2

€ 6,84
€ 3,42 Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 8,28
€ 4,138 Each (In a Pack of 2) (su PVM)
Standartas
2

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
2 - 18 | € 3,42 | € 6,84 |
20 - 198 | € 2,945 | € 5,89 |
200 - 998 | € 2,565 | € 5,13 |
1000+ | € 2,232 | € 4,46 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
163 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Serija
NVD5C434N
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
117 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
6.22mm
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
80.6 nC @ 10 V
Automotive Standard
AEC-Q101
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
2.38mm
Produkto aprašymas