Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiDirection Type
Uni-Directional
Diode Configuration
Complex Array
Minimum Breakdown Voltage
70V
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
TSOP
Maximum Reverse Stand-off Voltage
70V
Kaiščių skaičius
6
ESD protection
Yes
Number of Elements per Chip
4
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
3.1 x 1.7 x 1mm
Ilgis
3.1mm
Aukštis
1mm
Plotis
1.7mm
Test Current
100µA
Maximum Reverse Leakage Current
50µA
Produkto aprašymas
NUP4301MR6T1, Low Capacitance Diode Array for ESD Protection in Four Data Lines
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,096
Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 0,116
Each (In a Pack of 50) (su PVM)
50
€ 0,096
Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 0,116
Each (In a Pack of 50) (su PVM)
50
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiDirection Type
Uni-Directional
Diode Configuration
Complex Array
Minimum Breakdown Voltage
70V
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
TSOP
Maximum Reverse Stand-off Voltage
70V
Kaiščių skaičius
6
ESD protection
Yes
Number of Elements per Chip
4
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
3.1 x 1.7 x 1mm
Ilgis
3.1mm
Aukštis
1mm
Plotis
1.7mm
Test Current
100µA
Maximum Reverse Leakage Current
50µA
Produkto aprašymas