Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiDirection Type
Bi-Directional
Diode Configuration
Complex Array
Minimum Breakdown Voltage
5.6V
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-563
Maximum Reverse Stand-off Voltage
3.3V
Kaiščių skaičius
6
Peak Pulse Power Dissipation
0.22W
ESD protection
Yes
Number of Elements per Chip
5
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+125 °C
Matmenys
1.7 x 1.3 x 0.6mm
Maximum Reverse Leakage Current
100nA
Ilgis
1.7mm
Aukštis
0.6mm
Plotis
1.3mm
Test Current
1mA
Produkto aprašymas
EMI Filter with ESD Protection, ON Semiconductor
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,375
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,454
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
50
€ 0,375
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,454
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
50
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiDirection Type
Bi-Directional
Diode Configuration
Complex Array
Minimum Breakdown Voltage
5.6V
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-563
Maximum Reverse Stand-off Voltage
3.3V
Kaiščių skaičius
6
Peak Pulse Power Dissipation
0.22W
ESD protection
Yes
Number of Elements per Chip
5
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+125 °C
Matmenys
1.7 x 1.3 x 0.6mm
Maximum Reverse Leakage Current
100nA
Ilgis
1.7mm
Aukštis
0.6mm
Plotis
1.3mm
Test Current
1mA
Produkto aprašymas