Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
540 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-563
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
900 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.45V
Maximum Power Dissipation
250 mW
Maximum Gate Source Voltage
±7 V
Plotis
1.3mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.5 nC @ 4.5 V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
0.6mm
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,094
Each (On a Reel of 4000) (be PVM)
€ 0,114
Each (On a Reel of 4000) (su PVM)
4000
€ 0,094
Each (On a Reel of 4000) (be PVM)
€ 0,114
Each (On a Reel of 4000) (su PVM)
4000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
540 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-563
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
900 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.45V
Maximum Power Dissipation
250 mW
Maximum Gate Source Voltage
±7 V
Plotis
1.3mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.5 nC @ 4.5 V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
0.6mm
Kilmės šalis
China