Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-323
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.1 nC @ 10 V, 4.8 nC @ 4.5 V
Plotis
1.35mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.9mm
Produkto aprašymas
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,391
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,473
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
25
€ 0,391
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,473
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
25
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Juosta |
---|---|---|
25 - 25 | € 0,391 | € 9,76 |
50 - 100 | € 0,277 | € 6,93 |
125 - 225 | € 0,182 | € 4,54 |
250+ | € 0,164 | € 4,10 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-323
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.1 nC @ 10 V, 4.8 nC @ 4.5 V
Plotis
1.35mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.9mm
Produkto aprašymas