Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
260 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.9V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.81 nC @ 5 V
Aukštis
1.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,039
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,047
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,039
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,047
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
3000 - 6000 | € 0,039 | € 116,55 |
9000 - 21000 | € 0,033 | € 97,65 |
24000 - 42000 | € 0,028 | € 85,05 |
45000 - 96000 | € 0,026 | € 78,75 |
99000+ | € 0,024 | € 72,45 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
260 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.9V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.81 nC @ 5 V
Aukštis
1.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
China