Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15.6 nC @ 10 V, 7.4 nC @ 4.5 V
Plotis
1.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.01mm
Produkto aprašymas
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,379
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 0,459
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
25
€ 0,379
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 0,459
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
25
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
25 - 25 | € 0,379 | € 9,48 |
50 - 100 | € 0,37 | € 9,24 |
125 - 225 | € 0,359 | € 8,98 |
250 - 475 | € 0,352 | € 8,79 |
500+ | € 0,34 | € 8,50 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15.6 nC @ 10 V, 7.4 nC @ 4.5 V
Plotis
1.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.01mm
Produkto aprašymas