Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.4 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
110 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
480 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.76 nC @ 4.5 V
Plotis
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1V
Aukštis
1.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,127
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,154
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,127
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,154
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.4 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
110 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
480 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.76 nC @ 4.5 V
Plotis
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1V
Aukštis
1.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China