Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
55 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.45V
Maximum Power Dissipation
470 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17.8 nC @ 4.5 V
Plotis
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1V
Aukštis
1.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,148
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,179
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,148
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,179
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
55 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.45V
Maximum Power Dissipation
470 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17.8 nC @ 4.5 V
Plotis
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1V
Aukštis
1.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China