Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Maximum Power Dissipation
400 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
1.3mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.5 nC @ 5 V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.94mm
Produkto aprašymas
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,382
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,462
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
2
€ 0,382
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,462
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
2
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
2 - 98 | € 0,382 | € 0,76 |
100 - 198 | € 0,369 | € 0,74 |
200 - 498 | € 0,30 | € 0,60 |
500 - 998 | € 0,287 | € 0,57 |
1000+ | € 0,267 | € 0,53 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Maximum Power Dissipation
400 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
1.3mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.5 nC @ 5 V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.94mm
Produkto aprašymas