Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
82 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
48 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
4.9mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.63mm
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
16.12mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 5,985
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 7,242
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
€ 5,985
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 7,242
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
50 - 50 | € 5,985 | € 299,25 |
100+ | € 5,67 | € 283,50 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
82 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
48 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
4.9mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.63mm
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
16.12mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Kilmės šalis
China