Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
63 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
12.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
107 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.28mm
Typical Gate Charge @ Vgs
31 nC @ 10 V
Plotis
15.75mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
4.82mm
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,025
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 1,24
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
20
€ 1,025
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 1,24
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
20
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
20 - 80 | € 1,025 | € 20,50 |
100 - 240 | € 0,769 | € 15,37 |
260 - 480 | € 0,747 | € 14,93 |
500 - 980 | € 0,652 | € 13,04 |
1000+ | € 0,529 | € 10,58 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
63 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
12.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
107 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.28mm
Typical Gate Charge @ Vgs
31 nC @ 10 V
Plotis
15.75mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
4.82mm
Produkto aprašymas