Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
196 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
62.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.28mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 10 V
Plotis
4.82mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
9.28mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,934
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 1,13
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5
€ 0,934
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 1,13
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 5 | € 0,934 | € 4,67 |
10 - 95 | € 0,793 | € 3,97 |
100 - 245 | € 0,598 | € 2,99 |
250 - 495 | € 0,588 | € 2,94 |
500+ | € 0,507 | € 2,54 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
196 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
62.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.28mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 10 V
Plotis
4.82mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
9.28mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas