Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
313 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
DFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
850 μΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
167 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
143 @ 10 V nC
Plotis
5mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.9mm
Aukštis
0.95mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,572
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 3,112
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 2,572
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 3,112
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
313 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
DFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
850 μΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
167 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
143 @ 10 V nC
Plotis
5mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.9mm
Aukštis
0.95mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V