Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
880 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-363
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Plotis
1.35mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.2 nC @ 4.5 V
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,118
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,143
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,118
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,143
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
880 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-363
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Plotis
1.35mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.2 nC @ 4.5 V
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas