Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
446 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
158 nC @ 10 V
Plotis
4.82mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.3V
Aukštis
20.82mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 15,33
Each (In a Tube of 30) (be PVM)
€ 18,549
Each (In a Tube of 30) (su PVM)
30
€ 15,33
Each (In a Tube of 30) (be PVM)
€ 18,549
Each (In a Tube of 30) (su PVM)
30
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
30 - 90 | € 15,33 | € 459,90 |
120 - 240 | € 14,91 | € 447,30 |
270 - 480 | € 14,49 | € 434,70 |
510+ | € 14,175 | € 425,25 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
446 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
158 nC @ 10 V
Plotis
4.82mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.3V
Aukštis
20.82mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China