Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2.9 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-223
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
3.13 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Plotis
3.7mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.65mm
Produkto aprašymas
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,849
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 1,027
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
25
€ 0,849
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 1,027
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
25
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2.9 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-223
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
3.13 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Plotis
3.7mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.65mm
Produkto aprašymas