Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
915 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-523 (SC-89)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
950 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.45V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±6 V
Ilgis
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.82 nC @ 4.5 V
Plotis
0.95mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Automotive Standard
AEC-Q101
Aukštis
0.8mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,067
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,081
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,067
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,081
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
915 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-523 (SC-89)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
950 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.45V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±6 V
Ilgis
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.82 nC @ 4.5 V
Plotis
0.95mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Automotive Standard
AEC-Q101
Aukštis
0.8mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V