Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
50 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
36 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.73mm
Plotis
6.22mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
2.38mm
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,928
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 1,123
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
5
€ 0,928
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 1,123
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
5 - 45 | € 0,928 | € 4,64 |
50 - 120 | € 0,761 | € 3,81 |
125 - 245 | € 0,742 | € 3,71 |
250 - 495 | € 0,701 | € 3,51 |
500+ | € 0,652 | € 3,26 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
50 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
36 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.73mm
Plotis
6.22mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
2.38mm
Produkto aprašymas