Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
50 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
36 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.73mm
Plotis
6.22mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
2.38mm
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,911
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 1,102
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 0,911
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 1,102
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 45 | € 0,911 | € 4,56 |
50 - 120 | € 0,748 | € 3,74 |
125 - 245 | € 0,729 | € 3,64 |
250 - 495 | € 0,689 | € 3,44 |
500+ | € 0,64 | € 3,20 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
50 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
36 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.73mm
Plotis
6.22mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
2.38mm
Produkto aprašymas