Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
104 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
48 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-15 V, +15 V
Plotis
6.22mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.4 nC @ 5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
2.38mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
Czech Republic
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 1 128,12
€ 0,451 Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 1 365,03
€ 0,546 Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500

€ 1 128,12
€ 0,451 Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 1 365,03
€ 0,546 Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
104 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
48 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-15 V, +15 V
Plotis
6.22mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.4 nC @ 5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
2.38mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
Czech Republic
Produkto aprašymas