Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
90 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-15 V, +15 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 5 V
Plotis
6.22mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
2.38mm
Produkto aprašymas
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,102
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 1,334
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
5
€ 1,102
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 1,334
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,102 | € 5,51 |
25 - 120 | € 0,804 | € 4,02 |
125 - 620 | € 0,644 | € 3,22 |
625 - 1245 | € 0,561 | € 2,80 |
1250+ | € 0,547 | € 2,74 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
90 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-15 V, +15 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 5 V
Plotis
6.22mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
2.38mm
Produkto aprašymas