Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
82 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
313 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
9.65mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
81 nC @ 10 V
Aukštis
4.58mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 6,195
Each (On a Reel of 800) (be PVM)
€ 7,496
Each (On a Reel of 800) (su PVM)
800
€ 6,195
Each (On a Reel of 800) (be PVM)
€ 7,496
Each (On a Reel of 800) (su PVM)
800
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
82 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
313 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
9.65mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
81 nC @ 10 V
Aukštis
4.58mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Kilmės šalis
China