Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
915 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SC-75
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
9.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
0.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.82 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
1.6mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.8mm
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,314
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,38
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 0,314
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,38
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,314 | € 3,14 |
100 - 190 | € 0,216 | € 2,16 |
200 - 740 | € 0,135 | € 1,35 |
750 - 1490 | € 0,12 | € 1,20 |
1500+ | € 0,104 | € 1,04 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
915 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SC-75
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
9.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
0.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.82 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
1.6mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.8mm
Produkto aprašymas