Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiDiode Configuration
Single
Direction Type
Uni-Directional
Maximum Clamping Voltage
6.6V
Minimum Breakdown Voltage
6.4V
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
X2DFN
Maximum Reverse Stand-off Voltage
6.3V
Kaiščių skaičius
2
Maximum Peak Pulse Current
30A
ESD protection
Yes
Number of Elements per Chip
1
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
1.05 x 0.65 x 0.35mm
Working Voltage
6.3V
ESD Voltage
8kV
Capacitance
110pF
Ilgis
1.05mm
Aukštis
0.35mm
Plotis
0.65mm
Test Current
1mA
Maximum Reverse Leakage Current
1µA
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,086
Each (On a Reel of 8000) (be PVM)
€ 0,104
Each (On a Reel of 8000) (su PVM)
8000
€ 0,086
Each (On a Reel of 8000) (be PVM)
€ 0,104
Each (On a Reel of 8000) (su PVM)
8000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiDiode Configuration
Single
Direction Type
Uni-Directional
Maximum Clamping Voltage
6.6V
Minimum Breakdown Voltage
6.4V
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
X2DFN
Maximum Reverse Stand-off Voltage
6.3V
Kaiščių skaičius
2
Maximum Peak Pulse Current
30A
ESD protection
Yes
Number of Elements per Chip
1
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
1.05 x 0.65 x 0.35mm
Working Voltage
6.3V
ESD Voltage
8kV
Capacitance
110pF
Ilgis
1.05mm
Aukštis
0.35mm
Plotis
0.65mm
Test Current
1mA
Maximum Reverse Leakage Current
1µA
Kilmės šalis
China