Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
TO-220FP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
750 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Maximum Power Dissipation
39 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Plotis
4.9mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
10.63mm
Typical Gate Charge @ Vgs
47 nC @ 10 V
Aukštis
16.12mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
Korea, Republic Of
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,536
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 0,648
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
€ 0,536
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 0,648
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
TO-220FP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
750 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Maximum Power Dissipation
39 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Plotis
4.9mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
10.63mm
Typical Gate Charge @ Vgs
47 nC @ 10 V
Aukštis
16.12mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
Korea, Republic Of
Produkto aprašymas