Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
600 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
140 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
225 mW
Minimum DC Current Gain
60
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
160 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
General Purpose NPN Transistors, up to 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,112
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,136
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100
€ 0,112
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,136
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
600 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
140 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
225 mW
Minimum DC Current Gain
60
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
160 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
General Purpose NPN Transistors, up to 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.